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Geringe Belastung durch Spannungsspitzen: Neue 100-V-Leistungs-MOSFET-Technologie  - Leistungshalbleiter - Elektroniknet
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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am  besten für Traktionsumrichter geeignet? | e+i Elektrotechnik und  Informationstechnik
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Lowpower-MOSFET, Batterie-Abschaltverzögerung (BS170, BC560 BC517,  Darlington, Highsite-Power-MOSFET)
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Der MOSFET als Schalter • Wolles Elektronikkiste
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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am  besten für Traktionsumrichter geeignet? | e+i Elektrotechnik und  Informationstechnik
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Wie Sie den richtigen MOSFET finden – Teil 1
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SiC-MOSFETs und Si-IGBT-Technologie im Vergleich: Welches Material ist am  besten für Traktionsumrichter geeignet? | e+i Elektrotechnik und  Informationstechnik
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MOSFETs und Mikrocontroller
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